代表性的自旋电子学材料有两种。一种是基于金属的自旋电子学材料，它们具有优异的巨磁电阻效应（GMR）和隧道磁电阻效应（TMR），从它们的发明到在工业界得到广泛应用，只用了短短的十几年, 巨磁电阻效应的发现也因此获得了2007年诺贝尔物理奖 。另一种是基于AsGa和ZnO等半导体材料的自旋电子学材料，人们期望能在这些半导体材料上做出室温铁磁性。最近，人们又在碳纳米管、石墨烯和硅上发现了磁阻现象，在石墨烯和硅上实现了室温自旋电子注入，这些研究引起了人们对碳基自旋电子学材料和硅基自旋电子学材料的极大兴趣，石墨烯的发现也获得了2010年的诺贝尔物理奖。
我们尝试把碳材料和硅材料做在一起，看它是否具有一些新颖的物性。我们用PLD方法在半导体硅衬底上制备了(Fe,Co)x-C1-x /Si纳米结构，发现该材料具有许多新颖的物性，如磁电阻、电致电阻、光电导、光伏效应。该材料还对外部环境的改变敏感，如具有气压敏感效应和湿度敏感效应。另外，我们在该材料中发现了一些无法用现有的物理知识解释的现象，如高磁场下电阻不饱和等现象。我们已经在该材料上获得了7个中国发明专利。我们发明的(Fe,Co)x-C1-x /Si材料的研究不仅有可能在读出磁头、电敏感器、光敏感器、太阳能电池、气压敏感器、湿度敏感器等方面获得应用，特别的它还可做成自驱动(self-powered)电子器件，有很大的应用前景。
